MicReDプロダクト電子機器熱特性測定ハードウェア
Simcenter T3STER
熱特性評価用過渡熱試験システム Simcenter™ T3STERソリューション
熱抵抗と熱容量の変化を定量的に把握
実測結果とデジタルモデルのリンク（シミュレーションモデルのキャリブレーション）
熱伝導だけでなく対流や輻射も測定
両面放熱型のサンプル評価
お客様が抱える課題とソリューション
熱電対やサーモグラフィの測定再現性と精度に不満がある。熱対策が後手後手に・・・
- 熱設計が後回しになって手戻りが生じている
- 設計マージンを大きく取りすぎてコストがかかっている
- 放熱経路のボトルネックがわからない
- 熱電対の実測がバラつき、正しく測定できているか不安
- 新しい半導体デバイスを使おうと思うが熱抵抗が不明
- データシートの値と実測が合わない
Simcenter T3STERご導入のメリット
- 熱電対もサーモグラフィも使わない、JEDEC規格に準拠した過渡熱測定装置
- 実際の実装状態での放熱経路の様子（熱抵抗と熱容量の内訳）が得られる
- ダイアタッチ部やグリース部などの熱抵抗が把握（相対比較）
- 伝導のみならず、対流や輻射の効果を含めたトータルな評価
- Si系のデバイスのみならず、SiCやGaN などのワイドバンドギャップ半導体に対応
Simcenter T3STERをおすすめする理由
- Simcenter Flothermシミュレーションとの親和性（文献値では得られない接触熱抵抗の特定などに活用）
- 豊富な実測実績
- 大学と連携した商品開発
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