電力変換装置のパワー半導体(IGBT)は、かなりの発熱量になるため高性能のヒートシンク が必要になります。新製品の開発において、制約された空間でさらに高性能のヒートシンクが要求されました。これを実現するためにSimcenter Flothermによる解析で形状だけでなく材料を含めてヒートシンクの最適化を行いました。試作実験では解析結果と良く合う結果が得られ、開発コストの削減をすることができました。

解析種別：熱解析
課題等：電力変換装置、パワー半導体、ヒートシンク、、コスト削減